软x射线近贴显微技术

软x射线近贴显微技术不但可使活的生物样品成象,分辨率高于光学显微镜,而且人为的样品准备程序在该技术中都可避免。本文描述了用高功率激光打靶产生的等离子体作为软x射线源而进行的近贴显微研究,并得到了分辨率好于1μm的结果。     

Miniature InGaAsP/InP phase modulator for integrated opto-electronics

Miniature, etching ridge InGaAsP/InP Phase Modulator with highly efficient phase shifting efficiency of 60°/V.mm and 43°/V.mm for TE and TM modes, respectively, and 3 dB bandwidth of 650 MHz at 1.52 μm are reported. It is well suited for integrated opto-electronics. Some functions depending on bandwidth of the devices are discussed.     

乙醇增敏光泽精－H_2O_2－Pb（Ⅱ）化学发光体系的研究及应用

本文研究了Ｈ＿２Ｏ＿２氧化光泽精发光反应及乙醇的敏化作用，发现加入乙醇可使铅催化Ｈ＿２Ｏ＿２，氧化光泽精的发光强度有较大幅度的增强；铅量在３×１０￣（－７）～８×１０￣（－５）ｇ／ｍＬ。范围内与发光强度成正比．方法检出限为０．１０μｇ／ｍＬ；对含４μｇ／ｍＬＰｂ（Ⅱ）１１次重复测定，其ＲＳＤ为２．３％．对３２种常见的阴阳离子进行了干扰实验，表明方法具有较好的选择性。本法应用于水样及沉积物标样中痕量铅的测定，结果良好。     

劳动力供给带弹性的Solow模型

本文给出了在劳动力供给带弹性条件下的Ｓｏ１ｏｗ增长模型，给出了经济增长的黄金律和均衡处资本稳定性的证明，并且与不带弹性的Ｓｏｌｏｗ模型作了比较．     

THE SCHWARZIAN DERIVATIVE IN SEVERAL COMPLEX VARIABLES(II)

ＴＨＥＳＣＨＷＡＲＺＩＡＮＤＥＲＩＶＡＴＩＶＥＩＮＳＥＶＥＲＡＬＣＯＭＰＬＥＸＶＡＲＩＡＢＬＥＳ（ＩＩ）ＧＯＮＧＳＨＥＮＧＹＵＱＩＨＵＡＮＧＺＨＥＮＧＸＵＥＡＮＭａｎｕｓｃｒｉｐｔｒｅｃｅｉｖｅｄＡｕｇｕｓｔ３０，１９９６．Ｄｅ...     

Clifford分析中的多周期和准多周期Riemann边值问题

本文考虑了R^n 1空间中椭圆函数和准椭圆函数的一些性质，然后分别讨论了周期和准周期Riemann边值问题，给出了解的表达式和可解条件。     

矩形均匀电子束在激光介质中的能量沉积的模拟计算

本文主要论述了0.5MeV,单能垂直入射的电子束在三种不同密度的氟化氪准分子激光介质中的能量沉积。计算是采用Monte Carlo方法的MCSED程序,光轴方向采用周期性边界条件,因此能够给出平行于和垂直于电子束入射方向的沉积能量的空间分布。本文给出了在三种不同密度下的出射电子的角分布。用该程序对垂直入射的,初始能量为1MeV的电子在半无限大Al靶中的沉积能量的计算结果与ONETRAN程序的结果及实验结果的比较表明MCSED程序的计算结果是可靠的。     

离子表面活性剂胶团对阿斯匹林碱水解反应的影响

离子表面活性剂胶团对阿斯匹林碱水解反应的影响史振民＊刘生昆张祝莲巩育军（延安大学化学系延安７１６０００）关键词表面活性剂，阿斯匹林，碱水解反应，胶团，抑制作用１９９６－０５－０４收稿，１９９６－０８－１２修回阿斯匹林（ＡＳＰ），学名为乙酰水杨酸，有较...     

D→Klv～l衰变过程的研究

用光锥QCD求和规则研究D→Klv～_l衰变过程，首先计算D→K跃迁形状因子，通过构造新的关联函数，消除了twist-3波函数的不确定性给计算结果所带来的影响，从而使计算结果更加精确. 计算得到的分支比与最近的实验数据相一致. 关键词： QCD光锥求和规则 D介子半轻衰变 分支比 形状因子     

应力对La0.83Sr0.17MnO3薄膜输运性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明，LSMO薄膜属于正交晶体结构，薄膜取向与膜厚度 有关，当膜厚度为450nm或680nm时，主要取向〈200〉，而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 ：根据离子对相互作用能和谐振子模型，得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式，6 00cm^-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关；块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(T_MI)存在较大差别，薄膜转变温度显著低于块体，并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化，引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因. 关键词： 单晶硅 晶格常数 金属—绝缘体转变温度 应力诱导